上证报中国证券网讯（记者李兴彩）9月4日，由中国电子专用斥地工业协会与上海证券报·中国证券网鸠合主持的第十三届半导体斥地与中枢部件及材料展（CSEAC 2025）半导体制造与斥地及中枢部件董事长论坛（下称“董事长论坛”）在无锡市举行。

　　“AI快速发展，AI芯片封装时遴选的CoWoS工艺顶用到了多样各类的斥地和工艺，临时键合是其中紧迫的一种。”在本次论坛上，苏斯中国区总司理龚里围绕AI算力给键合斥地带来的新发展机遇，发表了主题演讲。

　　AI大模子及生成式AI快速发展，不停推升对AI算力芯片的需求。HBM凭借高带宽、低功耗等特质，成为AI芯片性能零乱的中枢组件，引颈先进封装和3D堆叠期间发展，从而给后谈封装斥地带来激增的需求，键合斥地领先受益。

　　由于在CoWoS工艺中晶圆均需要减薄，是以临时键合工艺起到额外紧迫的作用。存储芯片的减薄、硅接板的减薄等等，均需要用临时键合来达成晶圆的传送。

　　“减薄后的芯片堆叠在一王人达成HBM模块，正资历着从低层数向高层数堆叠的快速演进。当今堆叠到了12层，来岁可能达到16层，后年可能达到20层，这将径直初始键合工艺的升级换代。”龚里先容，在当今HBM3制造中，主要依赖于微凸块（Micro Bump）期间，热压键合（TCB）是存储芯片堆叠的主流工艺。夹杂键合能够达成更高的集成密度和更低的功耗，在互联密度、速率、带宽密度、能耗以及散热成果方面均优于传统TCB。苏斯公司也会深度参与夹杂键合的工艺，成为斥地的主要供应商之一。

　　据摩根大通展望，HBM TCB斥地商场领域将从2024年的4.61亿好意思元大幅增长，到2027年有望零乱15亿好意思元，达成超两倍的延伸。Yole数据表露，2024年夹杂键合斥地商场增速达67%，其在HBM商场的渗入率将从2025年的1%跃升至2028年的36%，对应商场领域从900万好意思元爆发式增长至8.73亿好意思元，年复合增长率超150%。

　　“在AI算力家具中英伟达模块的占比是80%，苏斯深度参与HBM3、HBM3e的临时键合妥协键合工艺。” 龚里先容，在CoWoS先进封装的键合妥协键合工艺中，不仅要惩办斥地工艺问题，还要惩办多样材料、清洗问题，其中最大的挑战有三点：一是涂胶均匀准确，CMP磨片后才会平整，从而能有好的产量；二是临时键合完成后，要清洗透顶，才气保证后续的制品率；三是键合时的瞄准额外紧迫。

　　龚里先容，苏斯有四大众具线，其中光刻机、涂胶显影和键合（包括临时键合、持久键合和夹杂键合）斥地都深度受益于先进封装发展；另外一个家具线掩膜清洗斥地，则在民众具有支配上风。

　　苏斯斥地于1949年，当今在民众有1500名职工，装配了8000台（套）斥地，年产值跳跃4亿欧元。苏斯在亚洲的业务占到营收的80%，其中中国大陆和中国台湾的业务悉数占比达60%。当今，苏斯在中国大陆有70名职工。

　　此外，龚里还共享了铜纳米线在先进封装中濒临的新机遇。他先容，面前的先进封装中遴选的是铜互联期间买球下单平台，如若把铜互联的凸点制作成粗细30nm到100nm的铜纳米线，改日不详不错室温或低温下完成TCB焊合，并将封装中的引线键合工艺免却，从而检朴遍及资本。